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電磁波屏蔽膜也叫EMI（ElectroMagnetic Interference-電磁干擾）保護膜或吸波材料。
目前用作 RFI（RF Interference-射頻干擾）屏蔽的材料范圍包括導電金屬氧化物、金屬網(wǎng)和納米線等材料。
我司EMI/RFI屏蔽膜主要是銅材蝕刻加工后，通過壓合于膜材上，主要是對產品內部線路起到減弱或消除電磁干擾/射頻干擾的作用。
具有優(yōu)良的電磁波屏蔽性能的柔性、薄、輕量的電磁波屏蔽膜，用于防止周圍環(huán)境中的醫(yī)療器械、船舶、飛機等精密設備發(fā)生故障。
EMI/RFI屏蔽膜提供有效的電磁屏蔽和最佳的透明度（可見光透射率 >80%）。
EMI/RFI屏蔽膜上包含的銅網(wǎng)為 ITO 屏蔽提供了很好的替代品（更好的電阻和導電性）。事實上，ITO 技術是基于具有非常薄層的支撐金屬化。該技術提供較低的電導率、較低的透明度和較高的氧化風險。這就是為什么我們更愿意提出這種基于 Cu Mesh 原理的 EMI 屏蔽膜。
| 測試項目 | 單位 | 產品特性 | 檢驗方法 | 備注 | ||
| 產品型號 | / | CNE******EMI-V*.* | / | / | ||
| 迭構 | 上保護層 | μm | 50 | 千分尺 | PE | |
| 銅網(wǎng)格層 | μm | 2 | 千分尺 | 表面黑化 | ||
| 基材 | μm | 100 | 千分尺 | PET | ||
| 下保護層 | μm | 50 | 千分尺 | PET | ||
| 網(wǎng)格圖案 | / | 45°斜正方形 | / | / | ||
| 線距 | μm | 200 | 二次元 | 2X | ||
| 線寬 | μm | 9±3 | 二次元 | 2X | ||
| 透過率 | % | ＞80% | 分光測色儀 | 550nm | ||
| 面電阻 | Ω/□ | 0.2～0.4Ω | 四點探頭 | / | ||
| 銅與基材附著力 | / | 5B | 百格刀測試 | ?/ | ||
| 可靠性 | 高溫高濕電阻變化率 | % | ≤10 | 恒溫恒濕實驗箱 | 溫度85℃，濕度85℃，500H | |
| 高溫高濕透過率變化率 | % | ≤10 | ||||
| 高溫高濕電阻變化率 | % | ≤10 | 紫外老化箱 | 光源UVA-340， 輻照強度：0.89W/m2@320nm， 黑標溫度：(70±2)℃， 輻照模式：全時間段照射 |
||
| 高溫高濕電阻變化率 | % | ≤10 | ||||
產品由上保護膜（PE）+?黑化層 + 銅網(wǎng)格層 + 基材（PET）+ 下保護層（PET）組合而成。
◆ 醫(yī)院（核磁共振、肌電圖和腦電圖設備的屏蔽）；
◆?工業(yè)開發(fā)實驗室的屏蔽；
◆?計算機的數(shù)據(jù)安全；
◆?行政房間的屏蔽（防止通過麥克風或建筑物外的電子竊聽器進行間諜活動）；
◆ 屏蔽雜散電磁輻射；
◆?消費類電子產品（智能手機、平板電腦、觸控面板、數(shù)碼相機、液晶電視等）的電子信號屏蔽。
高低溫測試
可達到-85℃到+85℃，極點環(huán)境下可正常使用；
環(huán)境測試：-80℃、100℃（沸水）、-235℃情況下測試產品功能正常。
循環(huán)彎曲測試
彎曲度數(shù)：從0~ 90~180度（循環(huán)彎曲），彎曲直徑：4mm，8mm。
循環(huán)折疊測試
當彎曲直徑為≦4mm時，彎曲角度從20度到180度循環(huán)折疊下能正常使用。
